Intérpretes: Interpretación Simultánea: AIS Comunicaciones. Intérprete: Anna Von Plomgren. Asociación de Intérpretes de Conferencia de España (AICE).
16/11/2020
Únete a nosotros en el Simposio 2020 MIT - Fundación Ramon Areces, para explorar el poder de nano. Un nanómetro es apenas una milmillonésima parte de un metro. Si viajaras 50.000 nanómetros, solo estarías a la mitad del ancho de un cabello humano. Pero los investigadores han descubierto que la materia a esta escala se comporta de manera revolucionaria. Veinticinco años de investigación intensiva ahora nos dan el poder de remodelar nuestro mundo desde la escala nano hacia arriba. Es como levantar una esquina de la tabla periódica y descubrir otra versión debajo, una que lista los mismos elementos, pero con propiedades completamente nuevas para los compuestos y materiales que forman. Ahora, para los elementos de la tabla periódica, los científicos e ingenieros del MIT están revelando nuevos comportamientos asombrosos e inventando formas poderosas de ponerlos en práctica. En este simposio, aprenderás cómo tres profesores altamente reconocidos del MIT, están liderando el camino para avanzar en la investigación disruptiva sobre este tema, desde la revolución extrema de los materiales y la integración 3D, hasta el amanecer de la era nano. Intervienen: Tomás Palacios : ""La revolución extrema de los materiales: de las computadoras en Venus a las celdas sintéticas"" El fin del escalado del transistor tradicional trae nuevas oportunidades sin precedentes para los dispositivos semiconductores y la electrónica. En esta nueva era, la integración heterogénea de nuevos materiales se vuelve clave para agregar nueva funcionalidad y valor a los chips electrónicos. Esta ponencia revisará algunos ejemplos de estas nuevas oportunidades, incluyendo: 1. Transistores de potencia verticales de nitruro de galio y lógica CMOS para una red eléctrica mucho más eficiente; 2. Recolectoras de energía wi-fi de disulfuro de molibdeno de una capa de espesor para permitir la electrónica ubicua; 3. Tecnología CMOS de alta temperatura para impulsar futuras misiones a Venus; y 4. Una nueva generación de microsistemas electrónicos autónomos del tamaño de una celda para revolucionar el control ambiental y el cuidado de la salud. La ponencia concluirá con una reflexión sobre cómo la democratización de la integración heterogénea y las propiedades únicas de los materiales extremos transformarán nuestra sociedad, tal como lo ha hecho la ley de Moore durante los últimos 50 años. Jesús del Álamo: ""Integración 3D: más allá de la ley de Moore"" Se ha escrito mucho sobre ""El fin de la ley de Moore"" durante más de una década. El término evoca una imagen de rendimiento informático estancado. La realidad está lejos de este escenario apocalíptico y el panorama de la tecnología de procesamiento de información parece más brillante que nunca. Ciertamente, dado que el escalado de la marca del transistor se está acercando rápidamente a un régimen en el que ""más pequeño ya no es mejor"", una redirección radical es obligatoria. El nuevo camino es la tercera dimensión, apilando transistores uno encima del otro en una construcción 3D. La promesa va más allá de la integración de más transistores por unidad de área para mantener los incentivos económicos detrás de la Ley de Moore. La tercera dimensión abre nuevas posibilidades para unir lógica y memoria y romper el “muro de la memoria”, el actual cuello de botella para el rendimiento del sistema. La integración íntima de memoria y lógica también habilitará chips de inteligencia artificial capaces de procesar de manera eficiente conjuntos de datos muy grandes. Esta charla describirá las oportunidades y los desafíos para las futuras tecnologías de CI al tiempo que presenta la investigación relevante del MIT sobre nuevos materiales, dispositivos y tecnología de procesos.
"Las opiniones expresadas por los ponentes no reflejan, necesariamente, las de la Fundación Ramón Areces ni de las instituciones en las que trabajan"
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